Výrobca Číslo produktu:
FQB7N80TM_AM002
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQB7N80TM_AM002-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 6.6A (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12849642
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQB7N80TM_AM002 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1850 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.13W (Ta), 167W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FQB7
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STB7NK80ZT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4410
ČÍSLO DIELU
STB7NK80ZT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.21
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STB6N80K5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB6N80K5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.85
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STB5N80K5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
205
ČÍSLO DIELU
STB5N80K5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.77
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STB9NK80Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB9NK80Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.92
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
