Výrobca Číslo produktu:
STB6N80K5
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STB6N80K5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12945697
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STB6N80K5 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
SuperMESH5™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
255 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
85W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
STB6N80
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
497-14974-6
497-14974-2
497-14974-1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFA7N80P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
257
ČÍSLO DIELU
IXFA7N80P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.67
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A TO220
STV160NF03LT4
MOSFET N-CH 30V 160A 10POWERSO
STL18N60M6
MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV
