Výrobca Číslo produktu:
2N7002-7-F
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
2N7002-7-F-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventár:
542836 Ks Nové Originálne Na Sklade
12882636
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2N7002-7-F Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
115mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
50 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
370mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
2N7002
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
2N70027F
2N7002-FDITR
2N7002-FDICT
2N7002-FDIDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFBE30STRLPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
IRFBC40L
MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK
DMT10H015LSS-13
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
