Výrobca Číslo produktu:
DMJ70H900HJ3
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMJ70H900HJ3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 700V 7A TO251
Podrobný popis:
N-Channel 700 V 7A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-251
Inventár:
12888530
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMJ70H900HJ3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
700 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
900mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
603 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
68W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-251
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
DMJ70
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STU7N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3000
ČÍSLO DIELU
STU7N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.49
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPSA70R900P7SAKMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4
ČÍSLO DIELU
IPSA70R900P7SAKMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.63
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMP3015LSSQ-13
MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
DMN10H220LQ-13
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
DMP2070UCB6-7
MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
