Výrobca Číslo produktu:
DMN100-7-F
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN100-7-F-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Inventár:
12889081
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN100-7-F Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.1A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
240mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
150 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SC-59-3
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
DMN100
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DMN100-FDICT
DMN100-FDITR
DMN100-FDIDKR
DMN1007F
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRLML2803TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
57343
ČÍSLO DIELU
IRLML2803TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.08
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RSR025N03TL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2519
ČÍSLO DIELU
RSR025N03TL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.19
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM3J108TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
TK19A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 19A TO220SIS
SSM3K335R,LF
MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
