Výrobca Číslo produktu:
DMN2016UFX-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN2016UFX-7-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 24V 9.9A 4VDFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 24V 9.9A (Ta) 1.07W (Ta) Surface Mount V-DFN2050-4
Inventár:
12887973
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN2016UFX-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
24V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.9A (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
950pF @ 10V
Výkon - Max
1.07W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
4-VFDFN Exposed Pad
Balík zariadení dodávateľa
V-DFN2050-4
Základné číslo produktu
DMN2016
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS84V-7
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT563
DMN3135LVT-7
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
DMN2010UDZ-7
MOSFET 2N-CH 24V 11A 6UDFN