Výrobca Číslo produktu:
DMN2320UFB4-7B
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN2320UFB4-7B-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 520mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventár:
7571 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889058
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN2320UFB4-7B Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
320mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
950mV @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.89 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
71 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
520mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
X2-DFN1006-3
Balenie / puzdro
3-XFDFN
Základné číslo produktu
DMN2320
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Iné mená
DMN2320UFB4-7BDITR
31-DMN2320UFB4-7BTR
DMN2320UFB4-7BDICT
DMN2320UFB4-7BDIDKR
DMN2320UFB4-7BDI
31-DMN2320UFB4-7BDKR
DMN2320UFB4-7BDI-DG
31-DMN2320UFB4-7BCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PMZB290UNE2YL
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
35118
ČÍSLO DIELU
PMZB290UNE2YL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.04
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS123ATC
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
DMPH4029LFGQ-7
MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
DMN100-7-F
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
