Výrobca Číslo produktu:
DMN5L06DW-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN5L06DW-7-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 50V 280mA 200mW Surface Mount SOT-363
Inventár:
12891910
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN5L06DW-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
50V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
280mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3Ohm @ 200mA, 2.7V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
-
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
50pF @ 25V
Výkon - Max
200mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
SOT-363
Základné číslo produktu
DMN5L06
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DMN5L06DWDITR
DMN5L06DWDICT
DMN5L06DW7
DMN5L06DWDIDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI1902DL-T1-E3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
34190
ČÍSLO DIELU
SI1902DL-T1-E3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDG6301N
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
69606
ČÍSLO DIELU
FDG6301N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.11
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN2004DWKQ-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
DMN3012LEG-7
MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
DMN5L06V-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
