Výrobca Číslo produktu:
DMN61D9UDW-13-50
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN61D9UDW-13-50-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 350mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Inventár:
12994149
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN61D9UDW-13-50 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel
Funkcia FET
Standard
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
350mA (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
28.5pF @ 30V
Výkon - Max
320mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
SOT-363
Základné číslo produktu
DMN61
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Iné mená
31-DMN61D9UDW-13-50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS138BKDW-TPQ2
MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
DMN52D0UVA-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
STA508A
MOSFET 4N-CH 120V 6A 10SIP
