Výrobca Číslo produktu:
DMN63D1LDW-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN63D1LDW-13-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 250mA 310mW Surface Mount SOT-363
Inventár:
12882513
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN63D1LDW-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
250mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.3nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
30pF @ 25V
Výkon - Max
310mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
SOT-363
Základné číslo produktu
DMN63
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMN66D0LDW-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2890
ČÍSLO DIELU
DMN66D0LDW-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.17
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN3013LDG-13
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333
PMGD290UCEAX
MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP
DMN601VKQ-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
