Výrobca Číslo produktu:
DMN66D0LDW-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN66D0LDW-7-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 115mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Inventár:
2890 Ks Nové Originálne Na Sklade
12884706
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN66D0LDW-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
115mA (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6Ohm @ 115mA, 5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
-
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
23pF @ 25V
Výkon - Max
250mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
SOT-363
Základné číslo produktu
DMN66
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DMN66D0LDWDITR
31-DMN66D0LDW-7CT
DMN66D0LDWDICT
DMN66D0LDWDIDKR
DMN66D0LDW7
DMN66D0LDW-7-DG
31-DMN66D0LDW-7DKR
31-DMN66D0LDW-7TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
2N7002DW
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2378
ČÍSLO DIELU
2N7002DW-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.07
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMC4050SSD-13
MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
DMN2024UDH-7
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
DMC1015UPD-13
MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
