Výrobca Číslo produktu:

DMNH6021SPDW-13

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMNH6021SPDW-13-DG

Popis:

MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50

Podrobný popis:

Mosfet Array 60V 8.2A (Ta), 32A(Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type R)

Inventár:

Online RFQ

12891890

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

DMNH6021SPDW-13 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, FET, MOSFET pole

Výrobca

Diodes Incorporated

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Konfigurácia

2 N-Channel (Dual)

Funkcia FET

-

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

60V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

8.2A (Ta), 32A(Tc)

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

25mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

3V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

20.1nC @ 10V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1143pF @ 25V

Výkon - Max

1.5W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount, Wettable Flank

Balenie / puzdro

8-PowerTDFN

Balík zariadení dodávateľa

PowerDI5060-8 (Type R)

Základné číslo produktu

DMNH6021

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

DMNH6021SPDW-13-DG

Technické listy

DMNH6021SPDW-13

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

2,500

Iné mená

DMNH6021SPDW-13DI

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

diodes

DMN5L06DW-7

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT363

diodes

DMN2004DWKQ-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363

diodes

DMN3012LEG-7

MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333

diodes

DMN5L06V-7

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563