Výrobca Číslo produktu:
DMT3009LFVW-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMT3009LFVW-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventár:
12884198
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMT3009LFVW-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Ta), 50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
3.8V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
823 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.3W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount, Wettable Flank
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
DMT3009
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMT3009LFVW-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
650
ČÍSLO DIELU
DMT3009LFVW-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.18
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
TPN8R903NL,LQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5561
ČÍSLO DIELU
TPN8R903NL,LQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.22
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
TPH11003NL,LQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2298
ČÍSLO DIELU
TPH11003NL,LQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.23
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ3E120GNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
11286
ČÍSLO DIELU
RQ3E120GNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN2300UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
DMN3025LFDF-13
MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
DMG3414U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
