Výrobca Číslo produktu:
DMT6009LSS-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMT6009LSS-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 10.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventár:
8665 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889449
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMT6009LSS-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10.8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1925 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.25W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
DMT6009
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
DMT6009LSS-13DITR
DMT6009LSS-13DIDKR
DMT6009LSS-13DICT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SK2744(F)
MOSFET N-CH 50V 45A TO3P
TK8A60DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS
TK8A10K3,S5Q
MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
