Výrobca Číslo produktu:
DMT6010SCT
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMT6010SCT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 98A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 98A (Tc) 2.3W (Ta), 104W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
47 Ks Nové Originálne Na Sklade
12882211
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMT6010SCT Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
98A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
36.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1940 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.3W (Ta), 104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
DMT6010
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
DMT6010SCTDI-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTP120N075T2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
44
ČÍSLO DIELU
IXTP120N075T2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.69
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDP070AN06A0
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
767
ČÍSLO DIELU
FDP070AN06A0-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.09
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN62D0UT-7
MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
DMNH6042SPD-13
MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
DMN10H700S-13
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
