FDP070AN06A0
Výrobca Číslo produktu:

FDP070AN06A0

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDP070AN06A0-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 15A (Ta), 80A (Tc) 175W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

767 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947455
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDP070AN06A0 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Ta), 80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
175W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
258
Iné mená
FAIFSCFDP070AN06A0
2156-FDP070AN06A0

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

HUF75631S3ST

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

international-rectifier

IRF7470TRPBF

IRF7470 - 12V-300V N-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STL100NH3LL

MOSFET N-CH 30V 100A POWERFLAT

nexperia

PSMN5R3-25MLD,115

PSMN5R3-25MLD - N-CHANNEL 25V, L