Výrobca Číslo produktu:
DMT6012LFV-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMT6012LFV-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 43.3A (Tc) 1.95W (Ta), 33.78W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
Inventár:
12884189
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMT6012LFV-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
43.3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
22.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1522 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.95W (Ta), 33.78W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI3333-8 (Type UX)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
DMT6012
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DMT6012LFV-13DI
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMT6012LFV-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
DMT6012LFV-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.20
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMP3028LFDE-13
MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
DMT3009LFVW-13
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
DMN2300UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
