Výrobca Číslo produktu:
DMT61M8SPS-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMT61M8SPS-13-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 205A (Tc) 2.7W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)
Inventár:
12979120
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMT61M8SPS-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
205A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
130.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8306 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.7W (Ta), 139W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI5060-8 (Type K)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
31-DMT61M8SPS-13TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK170V65Z,LQ
MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
DMG3420UQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
DMP26M1UPS-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI5060
