Výrobca Číslo produktu:
DMT64M1LCG-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMT64M1LCG-13-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Podrobný popis:
N-Channel 65 V 16.7A (Ta), 67.8A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Inventár:
13000703
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMT64M1LCG-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
65 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16.7A (Ta), 67.8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
51.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2626 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.2W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
V-DFN3333-8 (Type B)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
31-DMT64M1LCG-13TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMP2067LSS-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
DMNH6010SCTBQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
RS6N120BHTB1
NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
