DMT8008SCT

Výrobca Číslo produktu:

DMT8008SCT

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMT8008SCT-DG

Popis:

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T

Podrobný popis:

N-Channel 80 V 111A (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

Online RFQ

12979119

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

DMT8008SCT Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Diodes Incorporated

Balenie

Tube

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

80 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

111A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

7.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 1mA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

34 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1950 pF @ 40 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.4W (Ta), 167W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-220-3

Balenie / puzdro

TO-220-3

Základné číslo produktu

DMT8008

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

50

Iné mená

31-DMT8008SCT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

diodes

DMT61M8SPS-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

toshiba-semiconductor-and-storage

TK170V65Z,LQ

MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN

diodes

DMG3420UQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

diodes

DMP26M1UPS-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI5060