Výrobca Číslo produktu:
DMTH6004SPSQ-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMTH6004SPSQ-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 25A (Ta), 100A (Tc) 2.1W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventár:
2500 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889511
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMTH6004SPSQ-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
25A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
95.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4556 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.1W (Ta), 167W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI5060-8
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
DMTH6004
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
31-DMTH6004SPSQ-13TR
DMTH6004SPSQ-13DICT-DG
31-DMTH6004SPSQ-13CT
DMTH6004SPSQ-13DITR-DG
DMTH6004SPSQ-13DITR
DMTH6004SPSQ-13DICT
DMTH6004SPSQ-13DIDKR-DG
DMTH6004SPSQ-13DIDKR
31-DMTH6004SPSQ-13DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK80S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
SSM3K309T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
