Výrobca Číslo produktu:
ZVN2110ASTOB
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
ZVN2110ASTOB-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 320mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Inventár:
12949505
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
ZVN2110ASTOB Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
320mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
75 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
700mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
E-Line (TO-92 compatible)
Balenie / puzdro
E-Line-3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TN0110N3-G
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
TN0110N3-G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.88
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
VN0109N3-G
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3705
ČÍSLO DIELU
VN0109N3-G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.64
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMTH6016LFDFWQ-7
MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
ZXM62P02E6TA
MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
DMN4036LK3-13
MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
