Výrobca Číslo produktu:
FCPF380N60
Product Overview
Výrobca:
Fairchild Semiconductor
Číslo dielu:
FCPF380N60-DG
Popis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10.2A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventár:
5000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946801
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FCPF380N60 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
SuperFET® II
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
380mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1665 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
31W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
204
Iné mená
2156-FCPF380N60
FAIFSCFCPF380N60
Klasifikácia životného prostredia a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQP3N80C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDB86102LZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
FQA27N25
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
