FQA27N25

Výrobca Číslo produktu:

FQA27N25

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FQA27N25-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

Podrobný popis:

N-Channel 250 V 27A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventár:

237 Ks Nové Originálne Na Sklade

12946804

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FQA27N25 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Balenie

Bulk

Seriál

QFET®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

250 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

27A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

110mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

65 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±30V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

2450 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

210W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-3PN

Balenie / puzdro

TO-3P-3, SC-65-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

189

Iné mená

2156-FQA27N25

ONSONSFQA27N25

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

fairchild-semiconductor

FDS8672S

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

AUIRF3205ZS

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDP39N20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDMS4435BZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9