Výrobca Číslo produktu:
FDP39N20
Product Overview
Výrobca:
Fairchild Semiconductor
Číslo dielu:
FDP39N20-DG
Popis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 39A (Tc) 251W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
500 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946807
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDP39N20 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
UniFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
39A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
66mOhm @ 19.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2130 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
251W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
189
Iné mená
ONSFSCFDP39N20
2156-FDP39N20
Klasifikácia životného prostredia a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDMS4435BZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FQD1N60CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD6688
MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
