Výrobca Číslo produktu:
FCU2250N80Z
Product Overview
Výrobca:
Fairchild Semiconductor
Číslo dielu:
FCU2250N80Z-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventár:
94795 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947154
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FCU2250N80Z Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
SuperFET® II
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 260µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
585 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
39W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I-PAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
385
Iné mená
2156-FCU2250N80Z
FAIFSCFCU2250N80Z
Klasifikácia životného prostredia a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDB8896
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
FQPF19N10
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
OP540/BD/C3,027
OP540/BD - CUSTOM MOSFET
