FDA16N50-F109
Výrobca Číslo produktu:

FDA16N50-F109

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDA16N50-F109-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventár:

270 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946682
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDA16N50-F109 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
UniFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
380mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1945 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
205W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3PN
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FDA16N50(_F109)

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
184
Iné mená
2156-FDA16N50-F109
ONSFSCFDA16N50-F109

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

FDA18N50

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP8N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

fairchild-semiconductor

FQPF630

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

international-rectifier

AUIRF1010Z

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB