Výrobca Číslo produktu:
FDD8896
Product Overview
Výrobca:
Fairchild Semiconductor
Číslo dielu:
FDD8896-DG
Popis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 94A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventár:
926093 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947290
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDD8896 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
17A (Ta), 94A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2525 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
80W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252 (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
692
Iné mená
2156-FDD8896
FAIFSCFDD8896
Klasifikácia životného prostredia a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AUIRF2805STRL
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
PHB66NQ03LT
NOW NEXPERIA 66A, 25V, 0.0136OHM
PMPB29XNE,115
MOSFET N-CH 30V 5A DFN2020MD-6
