FDPF5N50NZU
Výrobca Číslo produktu:

FDPF5N50NZU

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDPF5N50NZU-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 3.9A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventár:

673 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947301
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDPF5N50NZU Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
UniFET-II™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
485 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FDPF5N50NZU Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
384
Iné mená
FAIFSCFDPF5N50NZU
2156-FDPF5N50NZU

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

HUF75639S3ST

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

fairchild-semiconductor

FDMC7660S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

nxp-semiconductors

PHB21N06LT,118

NOW NEXPERIA PHB21N06LT - 19A, 5

international-rectifier

IRF6662TRPBF

IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW