Výrobca Číslo produktu:
IRF6662TRPBF
Product Overview
Výrobca:
International Rectifier
Číslo dielu:
IRF6662TRPBF-DG
Popis:
IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventár:
9118 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947335
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF6662TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.3A (Ta), 47A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
22mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.9V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1360 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DIRECTFET™ MZ
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric MZ
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
253
Iné mená
2156-IRF6662TRPBF
INFIRFIRF6662TRPBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PH1030DLSX
POWER MOS
FDPF8N50NZU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
PSMN2R8-40BS,118
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
