FDPF8N50NZU
Výrobca Číslo produktu:

FDPF8N50NZU

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDPF8N50NZU-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 6.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventár:

3821 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947343
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDPF8N50NZU Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
UniFET-II™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
735 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
40W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FDPF8N50NZU Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
287
Iné mená
2156-FDPF8N50NZU
ONSONSFDPF8N50NZU

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
nxp-semiconductors

PSMN2R8-40BS,118

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

nxp-semiconductors

PMN30UNE115

NOW NEXPERIA PMN30UNE SMALL SIGN

fairchild-semiconductor

FDS6692A

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

nxp-semiconductors

PHB110NQ08T,118

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK