FDS6692A

Výrobca Číslo produktu:

FDS6692A

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDS6692A-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventár:

1731 Ks Nové Originálne Na Sklade

12947363

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDS6692A Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Balenie

Bulk

Seriál

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

9A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

11.5mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

29 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1610 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

1.47W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-SOIC

Balenie / puzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

582

Iné mená

2156-FDS6692A

FAIFSCFDS6692A

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

nxp-semiconductors

PHB110NQ08T,118

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

fairchild-semiconductor

SI3443DV

MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6

nexperia

PMPB85ENEA/F,115

PMPB85E - 60V, SINGLE N-CHANNEL

fairchild-semiconductor

FQI4N90TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4