FDS6692A
Výrobca Číslo produktu:

FDS6692A

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDS6692A-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventár:

1731 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947363
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDS6692A Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1610 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.47W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
582
Iné mená
2156-FDS6692A
FAIFSCFDS6692A

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
nxp-semiconductors

PHB110NQ08T,118

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

fairchild-semiconductor

SI3443DV

MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6

nexperia

PMPB85ENEA/F,115

PMPB85E - 60V, SINGLE N-CHANNEL

fairchild-semiconductor

FQI4N90TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4