FDFMA3P029Z
Výrobca Číslo produktu:

FDFMA3P029Z

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDFMA3P029Z-DG

Popis:

MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 3.3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MLP (2x2)

Inventár:

2319 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946934
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDFMA3P029Z Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.3A (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
87mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
435 pF @ 15 V
Funkcia FET
Schottky Diode (Isolated)
Stratový výkon (max.)
1.4W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-MLP (2x2)
Balenie / puzdro
6-WDFN Exposed Pad

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FDFMA3P029Z Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,110
Iné mená
2156-FDFMA3P029Z
FAIFSCFDFMA3P029Z

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

FDS6298

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

texas-instruments

CSD17303Q5

CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET

fairchild-semiconductor

FDB035AN06A0

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDMA530PZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6