CSD17303Q5
Výrobca Číslo produktu:

CSD17303Q5

Product Overview

Výrobca:

Texas Instruments

Číslo dielu:

CSD17303Q5-DG

Popis:

CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 100A (Tc) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)

Inventár:

1490 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946941
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

CSD17303Q5 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Texas Instruments
Balenie
Bulk
Seriál
NexFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
32A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
3V, 8V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.6V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
+10V, -8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3420 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.2W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-VSON-CLIP (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
CSD17303Q5 Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
301
Iné mená
TEXTISCSD17303Q5
2156-CSD17303Q5

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

FDB035AN06A0

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDMA530PZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

international-rectifier

IRF1010ZPBF

IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FDD8882

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3