FDMS0355S
Výrobca Číslo produktu:

FDMS0355S

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDMS0355S-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56

Inventár:

6000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946670
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDMS0355S Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Ta), 22A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1815 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 36W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (5x6), Power56
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FDMS0355S Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,110
Iné mená
FAIFSCFDMS0355S
2156-FDMS0355S

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

FQPF7N65CYDTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

fairchild-semiconductor

FDA16N50-F109

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDA18N50

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP8N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7