Výrobca Číslo produktu:
FDPF51N25YDTU
Product Overview
Výrobca:
Fairchild Semiconductor
Číslo dielu:
FDPF51N25YDTU-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 51A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Inventár:
566 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946581
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDPF51N25YDTU Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
UniFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
51A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
60mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3410 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
38W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3 (Y-Forming)
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
153
Iné mená
ONSFSCFDPF51N25YDTU
2156-FDPF51N25YDTU
Klasifikácia životného prostredia a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDP025N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQP6N40C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FDMS7660
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2