FDPF5N50FT
Výrobca Číslo produktu:

FDPF5N50FT

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDPF5N50FT-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventár:

58950 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946886
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDPF5N50FT Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
UniFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.55Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
700 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
28W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
331
Iné mená
2156-FDPF5N50FT
FAIFSCFDPF5N50FT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

FDA16N50LDTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

international-rectifier

IRFH7914TRPBF

IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO

fairchild-semiconductor

FDPF12N50NZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

IRFSL7734PBF

IRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P