FDPF7N60NZT
Výrobca Číslo produktu:

FDPF7N60NZT

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDPF7N60NZT-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 6.5A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventár:

5295 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947042
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDPF7N60NZT Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
UniFET-II™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
730 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
33W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FDP7N60NZ Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
431
Iné mená
2156-FDPF7N60NZT
ONSFSCFDPF7N60NZT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

FDMS7698

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

stmicroelectronics

STK30N2LLH5

MOSFET N-CH 25V 30A POLARPAK

international-rectifier

IRFBA1404PPBF

MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220

fairchild-semiconductor

FCPF290N80

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1