FQPF22N30
Výrobca Číslo produktu:

FQPF22N30

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FQPF22N30-DG

Popis:

MOSFET N-CH 300V 12A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 300 V 12A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventár:

872 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946441
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FQPF22N30 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
300 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
160mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2200 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
56W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FQPF22N30 Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
152
Iné mená
FAIFSCFQPF22N30
2156-FQPF22N30

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
international-rectifier

IRF6722MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT

fairchild-semiconductor

FQPF9P25YDTU

MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3

fairchild-semiconductor

FCU850N80Z

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

international-rectifier

AUIRF1324STRL

MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK