FQPF9P25YDTU
Výrobca Číslo produktu:

FQPF9P25YDTU

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FQPF9P25YDTU-DG

Popis:

MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
Podrobný popis:
P-Channel 250 V 6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

Inventár:

705 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946443
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FQPF9P25YDTU Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
620mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1180 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3 (Y-Forming)
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
352
Iné mená
ONSFSCFQPF9P25YDTU
2156-FQPF9P25YDTU

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

FCU850N80Z

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

international-rectifier

AUIRF1324STRL

MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDZ661PZ

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

IRF6714MTRPBF

MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT