Výrobca Číslo produktu:
IRF6714MTRPBF
Product Overview
Výrobca:
International Rectifier
Číslo dielu:
IRF6714MTRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 166A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventár:
61435 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946454
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF6714MTRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
29A (Ta), 166A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3890 pF @ 13 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DIRECTFET™ MX
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric MX
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
299
Iné mená
INFIRFIRF6714MTRPBF
2156-IRF6714MTRPBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STH110N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
AUIRL1404ZSTRL
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
FDZ451PZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
