Výrobca Číslo produktu:
FQPF2N70
Product Overview
Výrobca:
Fairchild Semiconductor
Číslo dielu:
FQPF2N70-DG
Popis:
MOSFET N-CH 700V 2A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 700 V 2A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventár:
42241 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946481
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQPF2N70 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
700 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
350 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
28W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
439
Iné mená
2156-FQPF2N70
ONSONSFQPF2N70
Klasifikácia životného prostredia a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FCPF9N60NT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
IRF6668TRPBF
IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
STD20NF06T4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
