Výrobca Číslo produktu:
FQPF5N90
Product Overview
Výrobca:
Fairchild Semiconductor
Číslo dielu:
FQPF5N90-DG
Popis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 3A (Tc) 51W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventár:
450 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946718
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQPF5N90 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
900 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1550 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
51W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
205
Iné mená
2156-FQPF5N90
ONSONSFQPF5N90
Klasifikácia životného prostredia a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDD6612A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
AUIRF3805L
MOSFET N-CH 55V 160A TO262
FDMS0349
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
