Výrobca Číslo produktu:
630AT
Product Overview
Výrobca:
Goford Semiconductor
Číslo dielu:
630AT-DG
Popis:
N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
87 Ks Nové Originálne Na Sklade
13001168
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
630AT Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
250mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
509 pF @ 25 V
Funkcia FET
Standard
Stratový výkon (max.)
83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
100
Iné mená
3141-630AT
4822-630AT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
630AT
VÝROBCA
Goford Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
87
ČÍSLO DIELU
630AT-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.30
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PMCA14UNYL
SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
DMWS120H100SM4
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
G110N06T
MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
