G01N20LE

Výrobca Číslo produktu:

G01N20LE

Product Overview

Výrobca:

Goford Semiconductor

Číslo dielu:

G01N20LE-DG

Popis:

MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23

Podrobný popis:

N-Channel 1.7A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3

Inventár:

51000 Ks Nové Originálne Na Sklade

12972460

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

G01N20LE Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Goford Semiconductor

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

TrenchFET®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

1.7A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

700mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 250µA

Vgs (max.)

±20V

Funkcia FET

Standard

Stratový výkon (max.)

1.5W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

SOT-23-3

Balenie / puzdro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

4822-G01N20LETR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

RoHS non-compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

3 (168 Hours)

Stav nariadenia REACH

Vendor Undefined

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

wolfspeed

C3M0045065J1

650V 45 M SIC MOSFET

NTMFS4983NBFT1G

MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN

panjit

PJQ5474A_R2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

panjit

PJC7403_R1_00001

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M