Výrobca Číslo produktu:
G26P04K
Product Overview
Výrobca:
Goford Semiconductor
Číslo dielu:
G26P04K-DG
Popis:
P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
Podrobný popis:
P-Channel 40 V 26A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventár:
4154 Ks Nové Originálne Na Sklade
13001084
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
G26P04K Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
26A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
Standard
Stratový výkon (max.)
78W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
3141-G26P04KTR
4822-G26P04KTR
3141-G26P04KDKR
3141-G26P04KCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RS6L120BGTB1
NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
G11S
P-20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX
PMPB07R0UNAX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
