Výrobca Číslo produktu:
GC11N65T
Product Overview
Výrobca:
Goford Semiconductor
Číslo dielu:
GC11N65T-DG
Popis:
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
98 Ks Nové Originálne Na Sklade
13000672
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
GC11N65T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
Cool MOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
901 pF @ 50 V
Funkcia FET
Standard
Stratový výkon (max.)
192W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
4822-GC11N65T
3141-GC11N65T
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMWSH120H90SM4Q
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
DMWSH120H28SM4Q
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
DMN2310UW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
