Výrobca Číslo produktu:
AUIRF7478Q
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
AUIRF7478Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventár:
12801552
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
AUIRF7478Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
26mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
31 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1740 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
95
Iné mená
SP001518452
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI4850EY-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4971
ČÍSLO DIELU
SI4850EY-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.67
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STS7NF60L
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7200
ČÍSLO DIELU
STS7NF60L-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.86
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS315PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
IPB06N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
IPD50N10S3L16ATMA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
