IPD50N10S3L16ATMA1
Výrobca Číslo produktu:

IPD50N10S3L16ATMA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPD50N10S3L16ATMA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Inventár:

2276 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801561
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPD50N10S3L16ATMA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
15mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 60µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4180 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
100W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD50

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD50N10S3L16ATMA1CT
IPD50N10S3L-16DKR
IPD50N10S3L-16CT-DG
IPD50N10S3L-16TR-DG
IPD50N10S3L-16
IPD50N10S3L-16TR
IPD50N10S3L16ATMA1DKR
IPD50N10S3L16ATMA1TR
IPD50N10S3L-16DKR-DG
IPD50N10S3L16
SP000386185
IPD50N10S3L-16-DG
IPD50N10S3L-16CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
DMT10H015LK3-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13598
ČÍSLO DIELU
DMT10H015LK3-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.40
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
TK55S10N1,LQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3549
ČÍSLO DIELU
TK55S10N1,LQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.14
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SQD70140EL_GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7504
ČÍSLO DIELU
SQD70140EL_GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.41
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IAUT150N10S5N035ATMA1

MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF

infineon-technologies

IPD70R1K4CEAUMA1

MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3

infineon-technologies

IPD70N12S311ATMA1

MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31

infineon-technologies

IPI120N10S405AKSA1

MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3