Výrobca Číslo produktu:
BSC0911NDATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC0911NDATMA1-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Podrobný popis:
Mosfet Array 25V 18A, 30A 1W Surface Mount PG-TISON-8
Inventár:
4859 Ks Nové Originálne Na Sklade
12834514
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC0911NDATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkcia FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A, 30A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1600pF @ 12V
Výkon - Max
1W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Balík zariadení dodávateľa
PG-TISON-8
Základné číslo produktu
BSC0911
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSC0911NDATMA1DKR
IFEINFBSC0911NDATMA1
2156-BSC0911NDATMA1
BSC0911NDATMA1CT
BSC0911NDATMA1TR
SP000934746
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AUIRF7304QTR
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC
CPH6635-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.4A 6CPH
ECH8654-TL-HX
MOSFET
